瓷介電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。下面來(lái)看看瓷介電容的內(nèi)部問(wèn)題及對(duì)可靠性的影響有哪些?

　　一，瓷介電容器內(nèi)部的介質(zhì)空洞問(wèn)題

　　介質(zhì)空洞是瓷介電容器內(nèi)部常見(jiàn)的問(wèn)題，它是瓷介電容器在制造過(guò)程中瓷介質(zhì)的空洞所造成的。它對(duì)此介電容器的使用可靠性的主要影響是：

　　1、空洞的存在會(huì)導(dǎo)致瓷介電容器局部擊穿電壓降低而導(dǎo)致?lián)舸┦Щ騼蓚€(gè)電極之間的絕緣電阻降低。

　　2、在電壓較高時(shí)會(huì)使空洞處的空氣電離化而產(chǎn)生漏電通道而漏電失效。

　　二，瓷介電容器的電極與電容主體接觸不好

　　這種問(wèn)題是瓷介電容在制造過(guò)程中電極與電容主體之間燒焊工藝不好所造成的。這種接觸不好在應(yīng)用過(guò)程中會(huì)造成電容器的開(kāi)路和接觸電阻增大失效。智旭JEC專業(yè)制造安規(guī)電容，壓敏電阻，獨(dú)石電容，薄膜電容，滌綸電容，高壓電容，更多品質(zhì)電容盡在JEC。

　　三，瓷介電容內(nèi)部的結(jié)瘤問(wèn)題

　　結(jié)瘤問(wèn)題是瓷介電容制造過(guò)程中，金屬化電極材料涂敷不均勻?qū)е碌慕饘倩姌O堆積變形所形成的。由于金屬化電極的變形會(huì)導(dǎo)致瓷介介質(zhì)變形，從而使電容器的介質(zhì)變薄而使擊穿電壓下降。金屬化電極的變形也可導(dǎo)致電容在加電時(shí)電場(chǎng)不均勻而擊穿失效。

　　四，瓷介電容器內(nèi)部的分層問(wèn)題

　　瓷介電容器內(nèi)部的分層問(wèn)題也是瓷介電容器內(nèi)部常見(jiàn)的問(wèn)題，它是瓷介電容器在制造過(guò)程中瓷介質(zhì)與金屬化電極之間接觸不緊密所造成的。它對(duì)介電容器的使用可靠性的主要影響是：

　　1、可導(dǎo)致電容的擊穿電壓下降，也可導(dǎo)致兩個(gè)極之間的絕緣下降。

　　2、分層問(wèn)題可導(dǎo)致瓷介電容器的抗機(jī)械能力進(jìn)一步下降。